Moduli za APD za 1064nm

Mfano: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Maelezo Fupi:

Imeimarishwa moduli ya Si avalanche photodiode yenye saketi ya ukuzaji mapema ambayo huwezesha mawimbi hafifu ya sasa kuimarishwa na kubadilishwa kuwa mawimbi ya volteji ili kufanikisha mchakato wa ubadilishaji wa ukuzaji wa mawimbi ya photon-photoelectric.

pata nukuu Pakua

Kigezo cha Kiufundi

Lebo za Bidhaa

Vipengele

Chip bapa iliyoangaziwa upande wa mbele
Jibu la kasi ya juu
Faida ya juu ya APD

Maombi

Mgawanyiko wa laser
Mawasiliano ya laser
Onyo la laser

Kigezo cha umeme wa picha (@Ta=22±3℃)

Kipengee #	Kategoria ya kifurushi	Kipenyo cha uso unaohisi picha(mm)	Masafa ya mwitikio wa spectral (nm)	Voltage ya kuvunjika (V)	Uwajibikaji M=100 λ=1064nm (kV/W)	Wakati wa kupanda (ns)	Bandwidth (MHz)	Mgawo wa Joto Ta=-40℃～85℃ (V/℃)	Nguvu sawa na kelele (pW/√Hz)	Umakini (μm)	Aina iliyobadilishwa katika nchi zingine
GD6212Y	TO-8	0.8	40 ~ 1100	350~500	150	8.8	40	2.2	0.15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0.15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0.27		C30659-1060-3A