Mfululizo wa bomba moja la PIN ya robo nne Iliyoangaziwa

Mfululizo wa PIN ya robo nne

Mfano: GT111 / GT112 / GD3250Y / GD3249Y / GD3244Y / GD3245Y / GD32413Y / GD32414Y / GD32415Y

Maelezo Fupi:

Kifaa hicho ni fotodiodi nne za PIN za silicon zenye kitengo kimoja, zikifanya kazi chini ya hali ya upendeleo wa kinyume, mwitikio wa spectral huanzia mwanga unaoonekana hadi karibu na infrared, urefu wa mwitikio wa kilele ni 980nm, na jibu kwa 1064nm linaweza kufikia hadi 0.5A. /W.

pata nukuu Pakua

Kigezo cha Kiufundi

VIPENGELE

MAOMBI

Lebo za Bidhaa

Tabia za umeme (＠Ta＝22±3℃)
Mfano	GT111	GT112	GD3250Y	GD3249Y	GD3244Y	GD3245Y	GD32413Y	GD32414Y	GD32415Y
Fomu ya kifurushi	TO-8	TO-8	TO-8	TO-20	HADI-31-7	HADI-31-7	MBCY026-P6	TO-8	MBCY026-W7W
Ukubwa wa uso unaoguswa na picha (mm)	Φ4	Φ6	Φ8	Φ10	Φ10	Φ16	Φ14	Φ5.3	Φ11.3
Masafa ya mwitikio wa spekta (nm)	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1150	400~1150
Urefu wa urefu wa mwitikio wa kilele (nm)	980	980	980	980	980	980	980	980	980
Uwajibikaji λ=1064nm(A/W)	0.3	0.3	0.3	0.3	0.4	0.4	0.4	0.5	0.5
Mkondo wa giza (nA)	5 (V_R=40V)	7 (V_R=40V)	10 (V_R=40V)	15 (V_R=40V)	20 (V_R=135V)	50 (V_R=135V)	40 (V_R=135V)	4.8 (V_R=140V)	≤20 (V_R=180V)
Muda wa Kupanda Ndani = 1064nm RL = 50Ω (ns)	15 (V_R=40V)	20 (V_R=40V)	25 (V_R=40V)	30 (V_R=40V)	20 (V_R=135V)	30 (V_R=135V)	25 (V_R=135V)	15 (V_R=140V)	20 (V_R=180V)
Uwezo wa makutano f=1MHz(pF)	5 (V_R=10V)	7 (V_R=10V)	10 (V_R=10V)	15 (V_R=10V)	10 (V_R=135V)	10 (V_R=135V)	16 (V_R=135V)	4.2 (V_R=140V)	10 (V_R=180V)
Voltage ya kuvunjika (V)	100	100	100	100	300	300	300	≥300	≥250

Mkondo wa giza wa chini

Mwitikio wa hali ya juu

Uthabiti mzuri wa quadrant

Sehemu ndogo ya upofu

Kifaa cha kulenga laser, ufuatiliaji wa mwongozo na uchunguzi

Laser micro-positioning, ufuatiliaji wa uhamishaji na mifumo mingine ya kipimo cha usahihi