Kiwanda cha BIDHAA, Wauzaji - Watengenezaji wa Bidhaa za Uchina

Moduli za APD za InGaAs

Ni moduli ya indium gallium arsenide avalanche photodiode yenye saketi ya ukuzaji kabla ambayo huwezesha mawimbi hafifu ya sasa kuimarishwa na kubadilishwa kuwa mawimbi ya volteji ili kufanikisha mchakato wa ubadilishaji wa upanuzi wa mawimbi ya photon-photoelectric.

ULINZI undani
APD ya robo nne

Inajumuisha vitengo vinne sawa vya Si avalanche photodiode ambayo hutoa usikivu wa juu kuanzia UV hadi NIR.Kilele cha urefu wa wimbi la mwitikio ni 980nm.Uwajibikaji: 40 A/W katika 1064 nm.

ULINZI undani
Moduli za APD za robo nne

Inajumuisha vitengo vinne sawa vya Si avalanche photodiode yenye saketi ya ukuzaji kabla ambayo huwezesha mawimbi hafifu ya sasa kuimarishwa na kubadilishwa kuwa mawimbi ya volteji ili kufanikisha mchakato wa ubadilishaji wa upanuzi wa mawimbi ya photon-photoelectric.

ULINZI undani
Moduli za PIN za 850nm

Ni moduli ya diodi ya 850nm Si PIN yenye saketi ya ukuzaji kabla ambayo huwezesha mawimbi hafifu ya sasa kuimarishwa na kubadilishwa kuwa mawimbi ya volteji ili kufanikisha mchakato wa ubadilishaji wa ukuzaji wa mawimbi ya photon-photoelectric.

ULINZI undani
900nm Si PIN photodiode

Ni Si PIN photodiode inayofanya kazi chini ya upendeleo wa kinyume na hutoa unyeti wa juu kuanzia UV hadi NIR.Kilele cha urefu wa wimbi la mwitikio ni 930nm.

ULINZI undani
1064nm Si PIN photodiode

Ni Si PIN photodiode inayofanya kazi chini ya upendeleo wa kinyume na hutoa unyeti wa juu kuanzia UV hadi NIR.Kilele cha urefu wa wimbi la mwitikio ni 980nm.Uwajibikaji: 0.3A/W katika 1064 nm.

ULINZI undani
Moduli za PIN za Fiber Si

Ishara ya macho inabadilishwa kuwa ishara ya sasa kwa kuingiza nyuzi za macho.Moduli ya Si PIN ina saketi ya ukuzaji kabla ambayo huwezesha mawimbi dhaifu ya sasa kuimarishwa na kubadilishwa kuwa mawimbi ya volteji ili kufanikisha mchakato wa ugeuzaji wa ukuzaji wa mawimbi ya photon-photoelectric-signal.

ULINZI undani
PIN ya robo nne

Ina vitengo vinne sawa vya Si PIN photodiode ambayo hufanya kazi kinyume chake na hutoa usikivu wa juu kuanzia UV hadi NIR.Kilele cha urefu wa wimbi la mwitikio ni 980nm.Uwajibikaji: 0.5 A/W katika 1064 nm.

ULINZI undani
Moduli za PIN za robo nne

Inajumuisha vitengo vinne sawa vya Si PIN yenye saketi ya ukuzaji kabla ambayo huwezesha mawimbi dhaifu ya sasa kuimarishwa na kubadilishwa kuwa mawimbi ya volteji ili kufanikisha mchakato wa ubadilishaji wa upanuzi wa mawimbi ya photon-photoelectric-signal.

ULINZI undani
PIN ya Si iliyoboreshwa ya UV

Ni Si PIN photodiode iliyo na UV iliyoboreshwa, ambayo hufanya kazi kinyume chake na hutoa usikivu wa juu kuanzia UV hadi NIR.Kilele cha urefu wa wimbi la mwitikio ni 800nm.Uwajibikaji: 0.15 A/W katika 340 nm.

ULINZI undani
Laser ya 1064nm YAG -15mJ-5

Ni Nd ya kubadilishwa kwa Q: leza ya YAG yenye urefu wa mawimbi 1064nm, nguvu ya kilele ≥15mJ, 1~5hz (inayoweza kurekebishwa) kasi ya marudio ya mapigo na pembe ya mseto ≤8mrad.Kwa kuongezea, ni leza ndogo na nyepesi na inayoweza kupata nishati ya juu ambayo inaweza kuwa chanzo bora cha mwanga cha umbali wa kuanzia kwa baadhi ya matukio ambayo yana mahitaji magumu ya kiasi na uzito, kama vile mapigano ya mtu binafsi na UAV inatumika katika baadhi ya matukio.

ULINZI undani
1064nm YAG Laser-15mJ-20

Ni ya Nd inayowashwa kwa Q:leza ya YAG yenye urefu wa mawimbi 1064nm, ≥15mJ kilele cha nguvu na pembe tofauti ya ≤8mrad.Kwa kuongeza, ni leza ndogo na nyepesi ambayo inaweza kuwa chanzo bora cha mwanga cha umbali mrefu kuanzia masafa ya juu ( 20Hz ).

ULINZI undani